HBM4，恐涨价30%

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

新一代HBM产品，更贵了。

根据TrendForce集邦咨询最新研究，HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。

AI芯片领先厂商英伟达于今年GTC大会亮相最新Rubin GPU，AMD则有MI400与之抗衡，上述产品都将搭载HBM4。

由于需求强劲，TrendForce集邦咨询预估2026年HBM市场总出货量预计将突破30Billion Gb，HBM4的市占率则随着供应商持续放量而逐季提高，预计于2026年下半正式超越HBM3e系列产品，成为市场主流。至于供应商表现，预期SK hynix将以过半的市占率稳居领导地位，Samsung与Micron（美光科技）仍待产品良率与产能表现进一步提升，才有机会在HBM4市场迎头赶上。

3月19日，韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。SK海力士表示，公司将在下半年完成量产准备。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。SK海力士引入了在HBM3E获得认可的Advanced MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量，I/O接口速度达8Gbps，带宽可提高至2TB/s。新工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

据SK海力士介绍，4月在台积电北美技术论坛上展示的16层堆叠HBM4具有高达 48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die则是由台积电代工。SK 海力士表示，他们正在寻求在 2025 年下半年之前进行大规模生产，这意味着该工艺最早可能在今年年底集成到产品中。

SK海力士已经稳固了Nvidia AI半导体“Blackwell”系列HBM3E的主要供应商地位，并且有望在全球率先供应预定于今年年底量产的下一代HBM4样品，从而继续保持领先地位。截至去年第四季度，HBM占 SK 海力士 DRAM 总销售额的 40% 以上。

三星的HBM4开发工作正在按计划进行，且于2025年下半年实现HBM4的量产，并预计2026年开始商业供应。

据EBN报道，三星已经将混合键合技术引入到第六代HBM产品，也就是HBM4，早于竞争对手SK海力士。这不仅显著改善了发热问题，而且还明显提升了I/O数量。随着堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，引入混合键合技术可以缩小间隙，满足需要更多垂直堆叠层数的HBM产品的生产。

目前SK海力士采用的是MR-RUF技术，将半导体芯片附着在电路上，使用EMC（液态环氧树脂模塑料）填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。这个过程涉及2-3个步骤，而MR-RUF技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程。

混合键合是一种3D集成技术，使用特殊材料填充和连接芯片，不需要凸块。这种材料类似于液体或胶水，将提供散热和芯片保护，从而实现更薄的整体芯片堆栈。与传统的基于凸块的堆叠相比，具有更低的电阻和电容、更高的密度、更好的热性能、以及更薄的3D堆栈。

不过混合键合技术现阶段也存在一些问题，比如成本较高，所需的专用设备比传统封装工具贵得多，并且需要更多的晶圆厂物理空间。这样会影响资本效率，尤其是在晶圆厂占地面积有限的情况下，这也是存储器供应商谨慎行事的主要原因之一，因此SK海力士暂时也只是将混合键合作为备用工艺。

当前，HBM4的市场需求强劲，被广泛应用于AI、深度学习和高性能计算等领域。此前，英伟达CEO黄仁勋曾要求SK海力士提前六个月供应HBM4芯片。此外，特斯拉最近也向SK海力士和三星电子表达采购HBM4的意向，用于正在开发的AI数据中心及其自动驾驶汽车。而微软、Meta向三星电子采购定制HBM4芯片。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。